标题 |
Control of the Schottky Barrier and Contact Resistance at Metal–WSe2 Interfaces by Polymeric Doping
聚合物掺杂对金属-WSe2界面肖特基势垒和接触电阻的控制
相关领域
材料科学
掺杂剂
二硒化钨
肖特基势垒
兴奋剂
接触电阻
工作职能
量子隧道
费米能级
纳米技术
光电子学
半导体
凝聚态物理
过渡金属
化学
物理
电子
催化作用
二极管
量子力学
生物化学
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Tien Dat Ngo; Myeong‐jin Lee; Zheng Yang; Fida Ali; Inyong Moon; et al 出版日期:2020-09-11 |
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