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 Improvement in current drivability and stability in nanoscale vertical channel thin-film transistors via band-gap engineering in In–Ga–Zn–O bilayer channel configuration 在In-Ga-Zn-O双层沟道结构中通过带隙工程改善纳米级垂直沟道薄膜晶体管的电流驱动能力和稳定性
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