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 Elimination of Si-C Defect on Wafer Surface in High Temperature SPM Process Through Nitrogen Purge in 300 mm Single-Wafer Chamber 300 mm单晶圆室氮气吹扫消除高温SPM工艺中晶圆表面Si-C缺陷
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期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 作者：Rajan Kumar Singh; Aizhen Lin; Haiping Lin; Max Chen; Yan Pan Wei Pan; et al 出版日期：2024-01-01 |
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