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标题
Effect of gradient polishing depth on material removal mechanism of silicon wafer polishing by silicon dioxide abrasive based on molecular dynamics
梯度抛光深度对基于分子动力学的二氧化硅磨料抛光硅片材料去除机理的影响
相关领域
抛光 材料科学 薄脆饼 磨料 化学机械平面化 二氧化硅 硅 机制（生物学） 复合材料 冶金 光电子学 哲学 认识论
网址
https://doi.org/10.1016/j.jmapro.2025.03.022
DOI
10.1016/j.jmapro.2025.03.022 doi
其它 期刊：Journal of Manufacturing Processes
作者：Jianbo Le; Juan Liu; May Lei Mei; Long‐Qing Chen; Hong Jiang; et al
出版日期：2025-03-10
求助人
fan051500 在 2025-03-14 14:45:25 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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