Growth of silicon carbide by sublimation sandwich method in the atmosphere of inert gas

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标题	Growth of silicon carbide by sublimation sandwich method in the atmosphere of inert gas 惰性气体气氛下升华夹心法生长碳化硅相关领域升华（心理学）惰性气体碳化硅薄脆饼惰性硅扩散化学基质（水族馆）材料科学热力学化学工程分析化学（期刊）化学物理纳米技术复合材料光电子学物理心理学海洋学有机化学色谱法地质学工程类心理治疗师
网址	https://doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00418-2
DOI	10.1016/s0022-0248(99)00418-2 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：A.S. Segal; A. N. Vorob'ev; S. Yu. Karpov; E. N. Mokhov; M.G. Ramm; et al 出版日期：2000-01-01
求助人	张琼敏在 2024-11-27 20:59:02 发布自上海，悬赏 10 积分
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