Novel MOS-cell Engineered 4.5 kV Enhanced-planar IGBT Device for Improved Short-Circuit Capability

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标题	Novel MOS-cell Engineered 4.5 kV Enhanced-planar IGBT Device for Improved Short-Circuit Capability 新型MOS电池设计的4.5 kV增强型平面IGBT器件可提高短路能力
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/10173148
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	ppboyindream 在 2024-11-26 17:53:33 发布自上海，悬赏 10 积分
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