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 C-Si Interface on Sio2/(111) Diamond P-Mosfets with High Mobility and Excellent Normally-Off Operation Sio2/（111）金刚石p-MOSFET上的C-Si界面具有高迁移率和优异的常闭性能
相关领域
材料科学
钻石
光电子学
MOSFET
接口（物质）
电子迁移率
工程物理
晶体管
电气工程
复合材料
工程类
电压
毛细管数
毛细管作用
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| 其它 |
期刊：SSRN Electronic Journal 作者：Xiaohua Zhu; Te Bi; Xiaolu Yuan; Yin-Ru Chang; Runming Zhang; et al 出版日期：2022-01-01 |
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