Application of high temperature deposited aluminum gate electrode to the fabrication of a-SI:H TFT

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标题	Application of high temperature deposited aluminum gate electrode to the fabrication of a-SI:H TFT 高温沉积铝栅电极在a-SI：H薄膜晶体管制备中的应用相关领域材料科学薄膜晶体管制作电极铝光电子学冶金纳米技术医学病理物理化学化学替代医学图层（电子）
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S025789729...
DOI	10.1016/s0257-8972(98)00640-9 doi
其它	期刊：Surface and Coatings Technology 作者：P.S. Shih; T.C. Chang; S.M. Chen; M.S. Feng; D.Z. Peng; C.Y. Chang 出版日期：2002-07-26
求助人	阿罕默德在 2025-01-03 10:33:16 发布自江苏，悬赏 10 积分
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