α-In2Se3/MoTe2 Heterojunction for P-Type Junction Field-Effect Transistors with Ferroelectric Memory Characteristics

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标题	α-In2Se3/MoTe2 Heterojunction for P-Type Junction Field-Effect Transistors with Ferroelectric Memory Characteristics 具有铁电存储特性的P型结场效应晶体管α-In2Se3/MoTe2异质结相关领域铁电性场效应晶体管异质结晶体管材料科学半导体光电子学纳米技术电气工程拓扑（电路）电压工程类电介质
网址	https://doi.org/10.1109/cstic61820.2024.10531885
DOI	10.1109/cstic61820.2024.10531885 doi
其它	期刊：作者：Tianjiao Zhang; Yuda Zhao 出版日期：2024-03-17
求助人	hc 在 2024-11-25 19:25:15 发布自北京，悬赏 10 积分
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