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Effect of Yttrium Treatment on Germanium-Oxide-Based Interfacial Layer of Ge P-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Fabricated Through in Situ Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
钇处理对原位等离子体增强原子层沉积Ge P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管锗氧化物基界面层的影响
相关领域
分析化学(期刊)
锗
材料科学
X射线光电子能谱
物理
化学
光电子学
有机化学
硅
核磁共振
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Hui-Hsuan Li; Kuan‐Yu Lin; Yi-He Tsai; Yu-Hsien Lin; Chao-Hsin Chien 出版日期:2024-01-17 |
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