General Model for Defect Dynamics in Ionizing‐Irradiated SiO2‐Si Structures

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标题	General Model for Defect Dynamics in Ionizing‐Irradiated SiO2‐Si Structures 电离辐照SiO2-Si结构中缺陷动力学的一般模型相关领域辐照材料科学硅电离辐射扩散半导体辐射损伤活化能剂量率化学物理光电子学分子物理学放射化学物理化学化学物理热力学核物理学
网址	https://doi.org/10.1002/smll.202107516 AI链接 nih.govdoi.org
DOI	10.1002/smll.202107516 doi
其它	期刊：Small 作者：Yu Song; Guanghui Zhang; Xuefen Cai; Baoying Dou; Zhihao Wang; et al 出版日期：2022-02-10
求助人	gty 在 2025-02-25 16:15:39 发布自贵州，悬赏 10 积分
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