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 Interplay of GaAsP barrier and strain compensation in InGaAs quantum well at near-critical thickness 近临界厚度InGaAs量子阱中GaAsP势垒与应变补偿的相互作用
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Wei Sun; Honghyuk Kim; L. J. Mawst; Nelson Tansu 出版日期：2019-11-28 |
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