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Design and Development of C and X band LNA MMIC’s using Indigenous 0.25um AlGaN/GaN-on-SiC HEMT Technology
采用本土0.25um TGA/GaN-on-SiOTEM技术设计和开发C和X频段LGA MMIC
相关领域
高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
氮化镓
电气工程
晶体管
工程类
CMOS芯片
纳米技术
图层(电子)
电压
放大器
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期刊: 作者:Purnima Kumari; Akhilendra Krishna; Umakant Goyal; Meena Mishra 出版日期:2023-12-11 |
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