Controllable Switching between Highly Rectifying Schottky and p–n Junctions in an Ionic MoS2 Device

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标题	Controllable Switching between Highly Rectifying Schottky and p–n Junctions in an Ionic MoS2 Device 离子MoS2器件中高整流肖特基结和p-n结之间的可控开关相关领域材料科学肖特基二极管光电子学光电流肖特基势垒响应度电接点半导体光探测离子键合整改 p-n结电压光电探测器电气工程二极管离子物理量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202301010
DOI	10.1002/adfm.202301010 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Ruiheng Chang; Qiao Chen; Shen Wang; Youwei Zhang; Butian Zhang; et al 出版日期：2023-04-20
求助人	youbin 在 2024-11-20 21:56:49 发布自四川，悬赏 10 积分
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