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 Effect of Xe ion (167 MeV) irradiation on polycrystalline SiC implanted with Kr and Xe at room temperature Xe离子（167 MeV）辐照对室温下注入Kr和Xe的多晶SiC的影响
相关领域
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：T.T. Hlatshwayo; J.H. O’Connell; В.А. Скуратов; M. Msimanga; R.J. Kuhudzai; et al 出版日期：2015-10-20 |
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