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 650-V GaN-on-Si Power Integration Platform Using Virtual-Body p-GaN Gate HEMT to Screen Substrate-Induced Crosstalk 采用虚拟体p-GaN栅HEMT屏蔽衬底串扰的650V GaN-on-Si功率集成平台
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
串扰
氮化镓
材料科学
基质（水族馆）
宽禁带半导体
电气工程
电子工程
晶体管
图层（电子）
工程类
纳米技术
电压
海洋学
地质学
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期刊： 作者：Junjie Yang; Jin Wei; Maojun Wang; Muqin Nuo; Yang Han; et al 出版日期：2023-12-09 |
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