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 Tunable band gaps and high carrier mobilities in germanene by Si doping in the presence of an external electric field: Field effect transistors 外电场中Si掺杂锗烯的可调带隙和高载流子迁移率：场效应晶体管
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期刊：Physica B-condensed Matter 作者：Meixia Xiao; Xiang Yin; H.Y. Song; Ying Lv; Beibei Xiao 出版日期：2024-03-01 |
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