Boron‐Doped Engineering for Carbon Quantum Dots‐Based Memristors with Controllable Memristance Stability

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标题	Boron‐Doped Engineering for Carbon Quantum Dots‐Based Memristors with Controllable Memristance Stability 可控记忆稳定性碳量子点忆阻器的硼掺杂工程相关领域记忆电阻器材料科学三元运算兴奋剂纳米技术量子点硼光电子学计算机科学物理量子力学核物理学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1002/smtd.202301454
DOI	10.1002/smtd.202301454 doi
其它	期刊：Small methods 作者：Haotian Hao; Mixue Wang; Yanli Cao; Jintao He; Yongzhen Yang; et al 出版日期：2024-01-10
求助人	JTHe 在 2024-09-21 08:17:40 发布自山西，悬赏 10 积分
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