A Monolithic GaN Power IC With On-Chip Gate Driving, Level Shifting, and Temperature Sensing, Achieving Direct 48-V/1-V DC–DC Conversion

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标题	A Monolithic GaN Power IC With On-Chip Gate Driving, Level Shifting, and Temperature Sensing, Achieving Direct 48-V/1-V DC–DC Conversion 一种具有片内栅极驱动、电平移动和温度传感的单片GaN功率集成电路，可实现48-V/1-V直接DC-DC转换相关领域整改门驱动器氮化镓电子线路炸薯条功率（物理）结温材料科学电气工程集成电路电压功率半导体器件光电子学电子工程工程类物理图层（电子）复合材料量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/jssc.2022.3201781
DOI	10.1109/jssc.2022.3201781 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者：Yufei Dong; D. Brian 出版日期：2022-12-01
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