Curvature of free-standing polycrystalline SiC thick films grown by CVD: On the origin of the residual stress gradient

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标题	Curvature of free-standing polycrystalline SiC thick films grown by CVD: On the origin of the residual stress gradient CVD生长的独立多晶SiC厚膜的曲率：残余应力梯度的起源相关领域材料科学微晶曲率残余应力复合材料压力（语言学）冶金几何学语言学哲学数学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mtla.2025.102350
DOI	10.1016/j.mtla.2025.102350 doi
其它	期刊：Materialia 作者：Yann Gallou; Alexandre Potier; Didier Chaussende 出版日期：2025-02-08
求助人	威武画板在 2025-03-15 18:17:55 发布自上海，悬赏 10 积分
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