Crystallization and bandgap variation of non-stoichiometric amorphous Ga2O3-x thin films during post-annealing process

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标题	Crystallization and bandgap variation of non-stoichiometric amorphous Ga2O3-x thin films during post-annealing process 非化学计量非晶Ga2O3-x薄膜退火后的晶化和带隙变化相关领域 X射线光电子能谱无定形固体材料科学薄膜退火（玻璃）化学计量学分析化学（期刊）结晶带隙化学状态溅射结晶学化学工程化学纳米技术光电子学物理化学冶金色谱法工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.152771
DOI	10.1016/j.apsusc.2022.152771 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Hojoon Lim; Dongwoo Kim; Su Yeon; Bongjin Simon Mun; Do Young Noh; et al 出版日期：2022-05-01
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