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 First Experimental Demonstration of 3D-Stacked 2T0C DRAM Cells Based on Indium Tin Oxide Channel 基于氧化铟锡沟道的3D堆叠2T0C DRAM单元首次实验演示
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：C.L. Gu; Qingjun Hu; Shenwu Zhu; Qijun Li; Min Zeng; et al 出版日期：2024-01-01 |
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