Simulation of the Interfacial AlN Layer on Band Structures and Carrier Densities of AlGaN/GaN HEMT Structures

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标题	Simulation of the Interfacial AlN Layer on Band Structures and Carrier Densities of AlGaN/GaN HEMT Structures AlN界面层对AlGaN/GaN HEMT结构能带结构和载流子密度的模拟相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学阻挡层图层（电子）宽禁带半导体晶体管纳米技术电气工程工程类电压
网址	https://doi.org/10.1063/1.2733363
DOI	10.1063/1.2733363 doi
其它	期刊：AIP conference proceedings 作者：S.B. Lişesivdin; M. Kasap 出版日期：2007-01-01
求助人	xian 在 2025-02-15 16:14:04 发布自广东，悬赏 10 积分
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