Epilayer thickness effect on the electrical and breakdown characteristics of vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diode

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标题	Epilayer thickness effect on the electrical and breakdown characteristics of vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diode 外延层厚度对垂直β-Ga2O3肖特基势垒二极管电学和击穿特性的影响
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127941
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2024.127941 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Hyeon-Cheol Kim; V. Janardhanam; Sameer Pokhrel; Chel-Jong Choi 出版日期：2024
求助人	liu 在 2024-10-16 17:34:57 发布自湖北，悬赏 10 积分
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