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标题
Prediction of threshold voltage of GaN HEMTs using deep learning model designed by genetic algorithm
利用遗传算法设计的深度学习模型预测GaN HEMTs的阈值电压
相关领域
跨导 高电子迁移率晶体管 氮化镓 阈值电压 算法 材料科学 遗传算法 光电子学 计算机科学 阈下传导 电子工程 人工智能 晶体管 电压 机器学习 纳米技术 电气工程 工程类 图层(电子)
网址
DOI
10.1016/j.mssp.2022.107057 doi
其它 期刊:Materials Science in Semiconductor Processing
作者:Shivanshu Mishra; Bipin Gaikwad; Nidhi Chaturvedi
出版日期:2022-08-29
求助人
活泼的怜烟 在 2025-02-14 11:11:35 发布自中国,悬赏 10 积分
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