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 S-Site Substitution Effects on the Structural and Electronic Properties by O, Se, and Te in Monolayer MoS$${}_{\mathbf{2}}$$: First-Principles Calculations 单层MoS$${}_{\mathbf{2}}$$中O、Se和Te的S位取代对结构和电子性质的影响：第一性原理计算
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期刊：Moscow University Physics Bulletin 作者：Yun Wei; Ting‐Yu Chen; Zhi‐Xin Bai; Zheng‐Tang Liu; Qi‐Jun Liu 出版日期：2023-06-01 |
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