Band gap engineering and enhanced optoelectronic performance by varying dopant concentration in RbSr1−xSnxCl3: Ab-inito study

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标题	Band gap engineering and enhanced optoelectronic performance by varying dopant concentration in RbSr1−xSnxCl3: Ab-inito study RbSr1-xSnxCl 3中不同掺杂剂浓度的带隙工程和增强光电性能：Ab-inito研究相关领域掺杂剂光电子学计算机科学材料科学兴奋剂
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092145262...
DOI	10.1016/j.physb.2024.415779 doi
其它	期刊：Physica B: Condensed Matter 作者：Sahadat Jaman; Md. Borhanul Asfia; Mohammad Abdur Rashid 出版日期：2024-02-16
求助人	BLUE-CZY 在 2024-07-17 18:00:18 发布自四川，悬赏 10 积分
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