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 TCAD Simulation of Novel Recess Gate Common Drain Dual Channel AlGaN/GaN HEMT for Small Signal Performance 具有小信号性能的新型凹栅共漏双沟道AlGaN/GaN HEMT的TCAD模拟
相关领域
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期刊：IETE Technical Review/IETE technical review 作者：Pankaj Kumar Pal; Y. Pratap; Praveen Pal 出版日期：2024-04-15 |
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