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标题
Analysis of dislocation configurations in SiC crystals through X-ray topography aided by ray tracing simulations
X射线形貌分析SiC晶体中位错构型
相关领域
材料科学 碳化硅 同步加速器 位错 半导体 X射线 光线追踪(物理) 光电子学 光学 薄脆饼 复合材料 物理
网址
DOI
10.1016/j.mssp.2024.108207 doi
其它 期刊:Materials Science in Semiconductor Processing
作者:Qianyu Cheng; Zeyu Chen; Shanshan Hu; Yafei Liu; Balaji Raghothamachar; et al
出版日期:2024-05-01
求助人
小惊麟 在 2024-06-19 13:52:28 发布自浙江,悬赏 10 积分
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