使用氮化铝镓背势垒提高常关型 InAlN/AlN/GaN HEMT 的性能

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标题	使用氮化铝镓背势垒提高常关型 InAlN/AlN/GaN HEMT 的性能相关领域高电子迁移率晶体管材料科学氮化铝氮化镓光电子学碳化硅铝晶体管宽禁带半导体氮化物电压电气工程纳米技术复合材料图层（电子）工程类
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.compeleceng.2022.107695
DOI	10.1016/j.compeleceng.2022.107695 doi
求助人	仁爱吐司在 2024-09-07 14:26:01 发布自北京，悬赏 10 积分
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