Doping-dependent nucleation of basal plane dislocations in 4H-SiC

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标题	Doping-dependent nucleation of basal plane dislocations in 4H-SiC 4H-SiC基面位错的掺杂成核相关领域成核材料科学兴奋剂基面结晶学纳米技术凝聚态物理复合材料光电子学化学有机化学物理
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac7178
DOI	10.1088/1361-6463/ac7178 doi
其它	期刊：Journal of Physics D 作者：XiaoShuang Liu; Rong Wang; Junran Zhang; Yunhao Lu; Yiqiang Zhang; et al 出版日期：2022-06-07
求助人	薄荷也在 2024-03-18 10:27:19 发布自江苏，悬赏 10 积分
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