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 A Logic-Process Compatible RRAM with 15.43 Mb/mm2 Density and 10years@150°C retention using STI-less Dynamic-Gate and Self-Passivation Sidewall 采用无STI动态栅极和自钝化侧壁的逻辑工艺兼容RRAM，密度为15.43 Mb/mm2，在150°C下保持10年
相关领域
数据保留
钝化
材料科学
逻辑门
薄脆饼
光电子学
电阻随机存取存储器
CMOS芯片
电子工程
纳米技术
电气工程
计算机科学
电压
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊： 作者：Qishen Wang; Yuhang Yang; Zongwei Wang; Shengyu Bao; Jingwei Sun; et al 出版日期：2023-12-09 |
| 求助人 | |
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