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 Dielectric breakdown mechanism of HfSiON/SiO/sub 2/ gate dielectric HfSiN/SiO/sub2/栅介质的介电击穿机理
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期刊： 作者：Kazuyoshi Torii; Tadayoshi Aoyama; Satoshi Kamiyama; Y. Tamura; Shuichi Miyazaki; et al 出版日期：2004-01-01 |
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