A surface potential-based DC model considering interface trap states for 4H-SiC power MOSFETs - 科研通

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标题	A surface potential-based DC model considering interface trap states for 4H-SiC power MOSFETs 基于表面电位的4H-SiC功率MOSFET界面陷阱态直流模型相关领域碳化硅材料科学光电子学晶体管表面状态接口（物质）场效应晶体管 MOSFET 航程（航空）半导体电压存水弯（水管）表面电荷电位曲面（拓扑）宽禁带半导体硅氧化物电气工程化学物理工程类复合材料毛细管作用冶金几何学气象学物理化学数学毛细管数
网址	https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/5.0023293
DOI	10.1063/5.0023293 doi
其它	期刊：AIP Advances 作者：Yuan Liu; Zijuan Peng; Yudong Lu; Bingqi Wang; Wanling Deng 出版日期：2020-09-01
求助人	kerio 在 2025-03-13 22:22:13 发布自重庆，悬赏 10 积分
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