Improving performances of ultra-small size (1–20 μ m) InGaN red micro-LEDs by growing on freestanding GaN substrates

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标题	Improving performances of ultra-small size (1–20 μ m) InGaN red micro-LEDs by growing on freestanding GaN substrates 在独立GaN衬底上生长提高超小尺寸（1~20 μ m）InGaN红色微发光二极管的性能相关领域发光二极管材料科学光电子学蓝宝石铟电流密度薄脆饼铟镓氮化物宽禁带半导体氮化镓量子效率波长纳米技术光学激光器图层（电子）物理量子力学
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.01771...
DOI	10.1063/5.0177137 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Luming Yu; Zhibiao Hao; Yi Luo; Changzheng Sun; Bing Xiong; et al 出版日期：2023-12-05
求助人	Leiting 在 2024-11-02 14:23:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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