Simulation study of a novel GaN on Si Quasi‐Vertical Reverse‐Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor

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标题	Simulation study of a novel GaN on Si Quasi‐Vertical Reverse‐Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor 新型GaN衬Si准垂直反导绝缘栅双极晶体管的模拟研究相关领域双极结晶体管光电子学晶体管材料科学异质发射极双极晶体管电气工程工程类电压
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad895a
DOI	10.1088/1361-6641/ad895a doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：wen zhao; Peng Zhang; Jiarui Xu; Jiale Du; Bin Hou; et al 出版日期：2024-10-21
求助人	zho 在 2025-02-23 10:18:28 发布自北京，悬赏 10 积分
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