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ITZO-Based Self-Aligned Top Gate Thin-Film Transistor with Minimum Parasitic Capacitance for Long-Retention 2T0C DRAM
用于长保持2T0C DRAM的最小寄生电容ITZO基自对准顶栅薄膜晶体管
相关领域
德拉姆
材料科学
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电容
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物理化学
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期刊:ACS Omega 作者:Jeong-Min Park; Sein Lee; Junseo Lee; Jang‐Yeon Kwon 出版日期:2024-12-31 |
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