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 Effectiveness of Repairing Hot Carrier Degradation in Si p-FinFETs Using Gate Induced Drain Leakage 利用栅极诱导漏极泄漏修复Si P-FinFET中热载流子退化的有效性
相关领域
泄漏（经济）
材料科学
降级（电信）
氧化物
MOSFET
光电子学
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宏观经济学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hao Chang; Qianqian Liu; Hong Yang; Longda Zhou; Zhigang Ji; et al 出版日期：2023-02-01 |
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