标题 |
Self‐Rectifying Short‐Term Memory Phenomena Through Integration of TiOx Oxygen Reservoir and Al2O3 Barrier Layers for Neuromorphic System
神经形态系统TiOx储氧层和Al2O3阻挡层集成的自校正短期记忆现象
相关领域
神经形态工程学
期限(时间)
氧气
材料科学
光电子学
纳米技术
物理
计算机科学
人工神经网络
人工智能
量子力学
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DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Materials Technologies 作者:Hyeonseung Ji; Sungjoon Kim; Sungjun Kim 出版日期:2024-09-13 |
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