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 β- Ga 2 O 3 epitaxial films deposited on epi-GaN/sapphire (0001) substrates by MOCVD 用MOCVD法在epi-GaN/蓝宝石（0001）衬底上沉积β-Ga2O3外延薄膜
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
X射线光电子能谱
无定形固体
外延
蓝宝石
分析化学（期刊）
退火（玻璃）
化学气相沉积
微晶
薄膜
氮化镓
光电子学
结晶学
光学
纳米技术
激光器
化学工程
化学
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图层（电子）
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Qiong Cao; Linan He; Hongdi Xiao; Xianjin Feng; Yuanjie Lv; et al 出版日期：2018-02-04 |
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