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 The Importance of Avoided Crossings in Understanding High Valley Degeneracy in Half‐Heusler Thermoelectric Semiconductors 避免交叉对理解半赫斯勒热电半导体高谷简并的重要性
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Madison K. Brod; Shashwat Anand; G. Jeffrey Snyder 出版日期：2022-02-12 |
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