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Boron‐Doped Engineering for Carbon Quantum Dots‐Based Memristors with Controllable Memristance Stability
可控记忆稳定性碳量子点忆阻器的硼掺杂工程
相关领域
记忆电阻器
材料科学
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期刊:Small methods 作者:Haotian Hao; Mixue Wang; Yanli Cao; Jintao He; Yongzhen Yang; et al 出版日期:2024-01-10 |
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