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 Self‐Compliant, Variation‐Suppressed Memristor Implemented with Carbon Nanotube/hBN/Silver Nanowire Cross‐Point Structure 用碳纳米管/hBN/银纳米线交叉点结构实现的自适应、抑制变化的忆阻器
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
材料科学
碳纳米管
纳米技术
纳米线
纳米尺度
导电体
光电子学
电子工程
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人工智能
复合材料
工程类
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Jiayang Hu; Baini Li; Hailiang Wang; Yu Kang; Yuda Zhao; et al 出版日期：2025-02-02 |
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