标题 |
Performance Enhancement of 2D Tin-Halide Perovskite Transistors via Molecule-Assisted Grain Boundary Passivation and Hole Doping
分子辅助晶界钝化和空穴掺杂提高二维卤化锡钙钛矿晶体管的性能
相关领域
钝化
晶界
兴奋剂
卤化物
锡
材料科学
钙钛矿(结构)
分子
光电子学
化学工程
无机化学
纳米技术
冶金
化学
微观结构
图层(电子)
有机化学
工程类
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其它 |
期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Zhang Le; Ao Liu; Huihui Zhu 出版日期:2024-04-15 |
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