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标题
Coexistence of volatile and non-volatile resistive switching in Ni/SiO2/Pt memristor device controlled from different current compliances
不同电流柔度控制Ni/SiO2/Pt忆阻器中易失性和非易失性电阻开关的共存
相关领域
记忆电阻器 非易失性存储器 电阻随机存取存储器 材料科学 光电子学 切换时间 电阻式触摸屏 电极 化学 电气工程 工程类 物理化学
网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ac18f7
DOI
10.1088/1361-6641/ac18f7 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Mehr Khalid Rahmani; Byung-Do Yang; HyungWon Kim; Hyojin Kim; Moon Hee Kang
出版日期：2021-07-30
求助人
新小pi 在 2024-12-12 22:06:35 发布自安徽，悬赏 10 积分
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