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 A novel normally-off GaN vertical Schottky source tunnel-junction field-effect transistor 一种新型常关GaN垂直肖特基源极隧道结场效应晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
击穿电压
晶体管
功勋
兴奋剂
肖特基势垒
电压
场效应晶体管
肖特基二极管
功率半导体器件
电气工程
二极管
工程类
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| 其它 |
期刊：Micro and Nanostructures 作者：Xiufeng Song; Jincheng Zhang; Shenglei Zhao; Shuang Liu; Ning Yang; et al 出版日期：2022-07-10 |
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