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标题
Characterization of high-quality InGaN/GaN multiquantum wells with time-resolved photoluminescence
高质量InGaN/GaN多量子阱的时间分辨光致发光表征
相关领域
光致发光 量子阱 光电子学 材料科学 重组 宽禁带半导体 表征（材料科学） 自发辐射 化学 光学 物理 纳米技术 激光器 生物化学 基因
网址
https://doi.org/10.1063/1.120966
DOI
10.1063/1.120966 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：M. S. Minsky; S. B. Fleischer; A. C. Abare; John E. Bowers; Evelyn L. Hu; et al
出版日期：1998-03-02
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完美芫 在 2024-11-20 14:22:18 发布自江西，悬赏 10 积分
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