标题 |
Hole mobility enhancement in monolayer WSe2 p-type transistors through molecular doping
分子掺杂提高单层WSe2 p型晶体管的空穴迁移率
相关领域
单层
兴奋剂
材料科学
光电子学
晶体管
电子迁移率
薄膜晶体管
纳米技术
电气工程
图层(电子)
工程类
电压
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期刊:Science China Information Sciences 作者:Shiyuan Liu; Xiong Xiong; Xin Wang; Xinhang Shi; Ru Huang; et al 出版日期:2024-05-27 |
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