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 High-Speed Growth of 4H-SiC Single Crystal Using Si-Cr Based Melt 利用Si-Cr基熔体高速生长4H-SiC单晶
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期刊：Materials Science Forum 作者：Motohisa Kado; Hironori Daikoku; Hidemitsu Sakamoto; Hiroshi Suzuki; Takeshi Bessho; et al 出版日期：2013-01-25 |
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