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A 28-nm RRAM Computing-in-Memory Macro Using Weighted Hybrid 2T1R Cell Array and Reference Subtracting Sense Amplifier for AI Edge Inference
基于加权混合2T1R单元阵列和参考减法读出放大器的28 nm RRAM内存计算宏
相关领域
电阻随机存取存储器
感测放大器
计算机科学
CMOS芯片
宏
感应(电子)
边距(机器学习)
炸薯条
计算机硬件
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电压
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期刊:IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者:Wang Ye; Linfang Wang; Zhidao Zhou; Junjie An; Weizeng Li; et al 出版日期:2023-06-07 |
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